設(shè)備的發(fā)熱是因為內(nèi)部功率的損耗產(chǎn)生的，同樣道理，軟啟動器也是因為內(nèi)部的損耗而導(dǎo)致發(fā)熱。

    軟啟動器內(nèi)部的功率損耗由晶閘管功率損耗、控制電路功率損耗兩部分組成，對于低壓軟起動器，控制電路功率損耗變動不大，一般為數(shù)十瓦;因此，軟起動器內(nèi)部的功率損耗主要由晶閘管功率損耗產(chǎn)生。粗略的算，每1KVA的軟起動器容量，其產(chǎn)生的損耗功率為3-5W。

    當軟啟動器的容量較大時，由晶閘管功率損耗產(chǎn)生的熱量將使管芯溫度迅速升高，后導(dǎo)致晶閘管燒毀，因此，必須采取措施將軟啟動器所產(chǎn)生的熱量充分的散發(fā)出去。

    由于軟起動內(nèi)部的損耗主要是由晶閘管產(chǎn)生，而同時，晶閘管的熱容量又比較小，因此，軟起動器本身對溫升的要求取決于晶閘管對溫升的要求。通常晶閘管的結(jié)溫要求不得高于120℃，而反映到散熱器上的溫度一般不得高于75℃。

    所以必須使用風冷散熱器把軟啟動器的熱量散發(fā)到外部的空氣中。保證好散熱的途徑通常，不被堵塞。這樣能夠更有效的把軟啟動器的熱量散下來。

    源于科技，創(chuàng)新不止。